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PHS-memory 4GB RAM Speicher für Sony VAIO VGN-FW51ZF/H DDR2 SO DIMM 800MHz PC2-6400S

Sony VAIO VGN-FW51ZF/H, 1 x 4GB
Preis in EUR inkl. MwSt.
Zwischen Mo, 13-4 und Mi, 15-4 geliefert
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Produktinformationen

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Sony VAIO VGN-FW51ZF/H Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 800 MHz und dem DDR2 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Die 100%ige Kompatibilität mit dem Sony VAIO VGN-FW51ZF/H gewährleistet eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb. Der Arbeitsspeicher ist mit einer Spannung von 1,8 Volt ausgelegt und bietet eine Speicherkapazität von 4 GB pro Modul, was eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und schnellere Datenverarbeitung ermöglicht. Dieser RAM ist eine kosteneffiziente Lösung, um die Leistung Ihres Laptops zu optimieren und die Benutzererfahrung zu verbessern.

  • 100% kompatibel mit Sony VAIO VGN-FW51ZF/H
  • Speichertaktfrequenz von 800 MHz für verbesserte Leistung
  • Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor.

Das Wichtigste auf einen Blick

Passende Marke
Sony
RAM für Modell
Sony VAIO VGN-FW51ZF/H
Speicherkonfiguration
1 x 4GB
Arbeitsspeichertyp
DDR2-RAM
Speichertaktfrequenz
800 MHz

Allgemeine Informationen

Artikelnummer
22395210
Hersteller
PHS-memory
Kategorie
RAM Modellspezifisch
Herstellernr.
SP136276
Release-Datum
19-4-2021

Arbeitsspeicher

Passende Marke
Sony
RAM für Modell
Sony VAIO VGN-FW51ZF/H
Speicherkonfiguration
1 x 4GB
Arbeitsspeichertyp
DDR2-RAM
Speichertaktfrequenz
800 MHz
Anzahl Speichermodule (RAM)
1x
Speicherkapazität (RAM) pro Modul
4 GB
Arbeitsspeicher Formfaktor
SO-DIMM
Anzahl Pins
200x

Energieversorgung

Spannung
1.80 V

Freiwilliger Klimabeitrag

CO₂-Emission
81,33 kg
Klimabeitrag
EUR 2,07

Rechtlicher Hinweis

Produktsicherheit

14 Tage gesetzl. Widerruf
30 Tage Rückgaberecht
24 Monate gesetzl. Gewährleistung
Rechtliche Bedenken

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