PNY Notebook memory Performance, SODIMM, DDR4, 16 GB, 3200 MHz, CL22 (MN16GSD43200-TB)
1 x 16GB, 3200 MHz, DDR4-RAM, SO-DIMMMehr als 10 Stück an Lager beim Lieferanten
Produktinformationen
PNY Performance DDR4 Speicher-Modul - 16 GB SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz PC4-25600 - CL22 - 1,2 V - Unbuffered - Non-ECC.
Produkttyp: Speicher-Modul
Kapazität: 16 GB
Speicherart: DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN
Erweiterungstyp: Generisch
Datenintegritätsprüfung: Non-ECC
Geschwindigkeit: 3200 MHz (PC4-25600)
Latenz: CL22
Leistungsmerkmale: Unbuffered
Spannung: 1,2 V
Allgemeine Details:
Kapazität: 16 GB
Erweiterungstyp: Generisch
Speicherart: DRAM
Speicher-Modul-Technologie: DDR4 SDRAM
Formfaktor: SO DIMM 260-PIN
Geschwindigkeit: 3200 MHz (PC4-25600)
Latenzen: CL22
Datenintegritätsprüfung: Non-ECC
Merkmale: Unbuffered
Spannung: 1,2 V.
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speicherkonfiguration | 1 x 16GB |
Speichertaktfrequenz | 3200 MHz |
CAS-Latenzzeit | 22 |
Spannung | 1.20 V |
Artikelnummer | 21059601 |
Speicherkonfiguration | 1 x 16GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 3200 MHz |
Arbeitsspeicher Chip | DDR4-3200 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 260 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
CAS-Latenzzeit | 22 |
Spannung | 1.20 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
Höhe | 150 mm |
Länge | 15.30 cm |
Breite | 11.40 cm |
Höhe | 0.80 cm |
Gewicht | 11 g |
Produktsicherheit |
30 Tage Rückgaberecht
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Gewährleistungsfallquote
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Quelle: Galaxus- PNYUngenügende Daten
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