Bij 3D V-NAND (ook wel V-NAND of 3D NAND genoemd) staan de transistors verticaal ten opzichte van het chipoppervlak en worden de flash-geheugenzones in lagen boven elkaar geplaatst. Dit resulteert in een hogere opslagdichtheid en vermindert tegelijkertijd het risico op interferentie tussen de cellen. Dankzij de verkorte verbindingen tussen de cellen neemt de elektrische prestaties toe, en daardoor daalt ook het stroomverbruik.